センサヘッドのテクノロジー

測定面でのスポット径を大きくしただけでなく、CMOS上でのスポット径も最も大きくなるように光学系を新たに設計しました。ワイド方向に2倍に設計された画素を最大限に活用し、高精度測定を実現しています。


収差の影響を極限まで小さくし、受光素子上にスポットを結ぶHDEレンズを新開発。
さらにデルタカットテクノロジーにより、反射光の受光素子に対する対称性も維持することで、直線性0.02%of F.S.を実現しました。



定評のあるABLE制御を、さらにパワーアップ。レーザ発光時間、レーザパワー、CMOSゲインの3要素をインテリジェントに制御し、測定精度に直結するRS-CMOS(受光素子)への受光量を常に最適化します。さらに、ワーク表面状態の急な変化にも追従するため、従来比8倍の高速追従性も実現しました。

半透明体では、内部までレーザが入りこむことで乱反射が発生し、受光波形がなだらかに広がります。広がった波形の影響をキャンセルして真のピーク(Real Peak)を検出します。
※RPD:Real Peak Detect

透明体の各層に返ってくる光をそれぞれセンシングして、レーザ光量を最適化。各層の波形を合成することで、反射率の影響を受けない高精度な測定が可能になりました。


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